DE-67304 Eisenberg
...Silizium- und Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET verschiedener Hersteller (Hitachi, Littelfuse, IXYS, Starpower) bis 1000A und 3300V, Module und Standardbauformen, Lagerhaltung, Bemusterung möglich.
Portfolio (16)
DE-71144 Steinenbronn
... Eingangsfilter ein zusätzliches Filtergehäuse an. Dies wird an den Filterflansch angeschraubt und verwandelt das Filter-LFE zur freien Ansaugung in eine Inline-Version, das man auch auf der Eingangsseite anschliessen kann. Ein solcher Umbausatz kann auch jederzeit nachträglich angebracht werden. Modell LFE-50MC02-FET LFE mit auswechselbarem Einlauffilter und Filtergehäuse Aluminiumkörper mit...
Portfolio (51)
Neben dem Vertrieb von Bauteilen für den Audio-, Video-, HF- und Industriebereich sind wir Hersteller von Audio-Modulbausteinen, DC/DC Wandlern und Bedienelementen aus Kunststoff.
Portfolio (10)
DE-33334 Gütersloh
60.000 Artikeln in sechs Lagern bieten wir Ihnen von A-Z ein umfassendes Sortiment an Stahl, Schrauben und Werkzeug...
Portfolio (32)
DE-91126 Rednitzhembach
...Partner: GeneSiC | Kategorien: Siliziumcarbid MOSFETs, SiC MOSFETs | Produkte/Serien ab 650V: G2R, G3R | Alternativen z. B. zu Infineon, IXYS, STMicroelectronics, ... ...
DE-27356 Rotenburg
... Darüber hinaus hat IXYS Allianzen mit ausgewählten Weltklasse-Fertigungen, darunter Samsung in Korea und anderen asiatisch-pazifischen Konzernen gegründet. IXYS nutzt externe Fertigungsstätten weltweit, um exzellenten Service und niedrige Herstellungskosten für seine kommerzielle High-Power-MOSFETs, IGBTs, Treiber / Power Management-ICs und ASICs zu bieten. In 2017 hat Littelfuse IXYS übernommen...
Portfolio (27)
DE-81369 München
... Schalters Lastkreis Lastausgang Power-MOSFET-Schaltausgang (plusschaltend) Laststrom Warnlimit t (IWLimit) Hysterese typ. 0,8 x IN typ. 5% Überlastabschaltung (ÜL) typ. 1,2 x IN (1,05...1,35 x IN) (siehe Zeit/Strom-Kennlinie) Kurzschlussstrom IK aktive Strombegrenzung mit IKS = typ. 2,5 x IN , 1 A typ. 1,4 x IN, 2 A -10 A (siehe Zeit/Strom-Kennlinie...
Portfolio (19)
DE-63667 Nidda
... noch einfachere Integration und Kommunikation. Das durchdachte Kabelmanagement und die verschiedenen Montageoptionen machen die Implementierung der CO61 äußerst flexibel und effizient. Zu den weiteren herausragenden Merkmalen zählen die standardmäßig integrierten FET, der waschbare DURA™ Schutz mit IPX6-Zertifizierung sowie der Akkuanschluss für den Notbetrieb bei Stromausfällen. Die...
Portfolio (44)
...Entdecken Sie unser ausgewhältes Sortiment an Transistoren. Transistoren sind elektrische Schaltelemente, die den Strom- oder Spannungsfluss regulieren. Er funktioniert wie ein Schalter für elektrische Signale. Entdecken Sie in unserem Shop verschiedene Transistoren: - Bipolar-Transistoren (BJTs) - IGBT-Transistoren - Uni-/Bipolartransistoren (FETs)...
Portfolio (55)
DE-64283 Darmstadt
... Verarbeitung von elektrischen Signalen. Ob Transistoren, Dioden, ICs oder MOSFETs, wir bieten eine breite Palette von Halbleiterkomponenten, die den höchsten Qualitätsstandards entsprechen. Anwendungsvielfalt Unsere Halbleiter-Bauelemente sind äußerst vielseitig und finden Anwendung in einer Vielzahl von Branchen, einschließlich Elektronik, Kommunikationstechnik, Automobiltechnik, Medizin und...
Portfolio (15)
DE-21220 Seevetal
... Materialansammlungen und spezielle Versionen sind für korrosive Materialien oder Explosionsschutz vorhanden. EIGENSCHAFTEN: - Länge des Sensorstabes: 275 - 4000mm - Frequenz: 395 - 405 Hz - Minimal erfasste Materialdichte: 0,32g/cm3 - Ausgänge: Relais, SPDT, 3A/250 VAC, 3A/28 VDC, optional SSR(MOSFET) 400mA/60 VAC/ VDC - Material der Sonde: SUS 304 / 316 - Umgebungstemperatur: -40/-20 bis 60/70°C...
Portfolio (37)
DE-96528 Schalkau
...TIRA bietet sowohl analoge als auch digitale Verstärker an, deren Anschlüsse / Leistungswerte an alle im Markt vorhandenen Schwingerreger entsprechend den Kundenanforderungen angepasst werden können. Analoge Verstärker - Ausgestattet mit modernsten MOSFET-Transistoren - Sinusleistung bis 1200 VA - Wahlweiser Betrieb im Strom- oder Spannungsmodus - Hintergrundbeleuchtetes...
Portfolio (43)
DE-69434 Hirschhorn
... aufgebaut. Hier können Arbeitsfrequenzen von 6 bis 100 kHz bei einer Leistung bis 25 kW als Tischgerät und bis 50 kW in Schrankbauweise erreicht werden. Hochfrequenz-Transistor-Generator ITH: Der Hochfrequenz-Generator ist in MosFet-Technologie aufgebaut. Er ermöglicht Arbeitsfrequenzen von 100 bis 1000 kHz, abhängig von der Leistung an den Induktorklemmen. Bei Tischgeräten liegt diese bei 2 bis 20...
Portfolio (12)
DE-92345 Dietfurt
... geliefert. Die Relaisausgänge sind vom Rest der Empfangselektronik getrennt und isoliert ausgeführt. Jeder Ausgang ist für 5 A ausgelegt. Das Anschlussverhalten lässt sich einstellen (Ruhestellung offen oder geschlossen, gemeinsame Anschlusspunkte). G5-M19 Der Empfänger G5-M19 hat 19 MOSFET-Ausgänge, von denen 14 als Digitaleingänge konfigurierbar sind. Jeder Ausgang ist für 3 A ausgelegt. Die...
Portfolio (9)
AT-2380 Perchtoldsdorf
Wir bieten elektromechanische Bauelemente, Sensoren, Steckverbinder, Optoelektronik, Displays, passive Bauelemente und viele weitere elektronische Bauelemente an...
... Schaltungserweiterung „Senken der Hubeinheit nur bei hochgefahren- em Niederhalter“ Schaltungserweiterung „Zweihand-Bedienung/Überbrückungstaster für Fahren mit angehobenem Niederhalter“ Multifunktionsanzeige zum Anzeigen von * Batteriezustand  * Betriebsstunden * Wartungsintervallen * Fehlermeldungen Automatische Langsamfahrt bei niedrigem Batteriestand Steuerung: Energiesparende MOS-FET Fahrsteuerung AC-1mit...
Portfolio (434)
DE-33100 Paderborn
... MOSFET N-CH STN3NF06L SOT-223 Hersteller (2a): ST Micro Typ (2a): STR710FZ2T6 - MCU 32 BIT ARM 2 Hersteller (2b): ST Micro Typ (2b): STR731FV2T6 - MCU/32-BIT/256KB Hersteller (2c): ST Micro Typ (2c): ST Micro 32F401VBT6 Hersteller (3): Nexperia / Onsemi Nexperia Typ (3): 03XNXD13A4297 - IC,SMD CMOS 74HCT244 TSS Termistor (4): Termistor 87.003.39301-4 TERMISTOR 50K 10% Hersteller (5): Microchip Typ...
Portfolio (208)
... modernste Transistoren-Technologie ermöglicht höchste Leistung und Einschaltdauer (ED) von 60% bei voller Leistung! Kein Trafo, kein MOSFET, modernste IGBT! ▪ Leichte & kompakte Bauweise – mit nur 5,7 kg Gewicht und Maßen von 360 x 120 x 225 mm ist das Gerät ideal für Schweißarbeiten an jedem Ort. Innovative IGBT Transistoren sparen Platz und Gewicht im Vergleich zur alten MOSFET Technologie. Kein...
Portfolio (91)
... der Halbleiterfertigung genügen sollen. Es existieren modulare Lösungen für integrierte CNT-basierte Feldeffekt Transistoren, integrierte Hardwaresicherheit (physical unclonable function) sowie integrierte Sensorarrays. Einen weiteren Schwerpunkt bildet die Herstellung und Integration spintronischer Bauelemente. Das Fraunhofer ENAS ist seit mehr als 10 Jahren auf dem Gebiet der...
Portfolio (10)
DE-64546 Mörfelden-Walldorf
... der Position. Jeder 2×3-polige 2S-Encoder MicroMotors enthält auf einem einzigen Siliziumchip: - den Spannungsregler - den Hall-Spannungsgenerator - die Schaltung für Temperaturstabilität - den Signal-Schmitt-Chopper-stabilisierten Verstärker - den Schmitt-Trigger - die offene Drain-MOSFETs Demzufolge ist der Encoder sehr kompakt aufgebaut. Der Onboard-Regler erlaubt ebenfalls den Betrieb mit Versorgungsspannungen von 3,5 bis 24V. Der MOSFET-Ausgang ist mit bis zu 20 mA belastbar, sodass der Encoder direkt mit bipolaren Schaltungen oder MOS-Logikschaltungen verwendet werden kann.
Portfolio (5)
DE-80809 München
...Die High/Low-Level-Statuseingangseinheit KST2.4S und die Ausgangseinheit KSR2.4 sind z. B. für den Start/Stopp von Antriebsanlagen und die Überwachung von High/Low-Pegeländerungen geeignet. Sie enthalten das Funkmodul NK-2.4Y, ein Output-Photo-MOSFET und LEDs zur Kommunikationsüberwachung. Dank Frequenzsprungverfahren lassen sich mit diesen Funkeinheiten mehrere Systeme in einem Gebiet ohne Kanalmanagement gleichzeitig überwachen. Hamming-Distanz 6 und CRC-16 Fehlererkennung sorgen für eine zuverlässige Kommunikation.
Portfolio (13)
DE-82152 Martinsried
... Anwendung. Bei der Auswahl der Nennspannung empfehlen wir eine Sicherheitsspanne von mindestens 5 % für MOSFET-Schalter und mindestens 20 % für alle bipolaren Schalter (IGBT, MCT, SCR), um das Risiko einer Beschädigung durch unerwartete Spannungsschwankungen oder unerwartete Rückschlagspannungen zu minimieren. Die Langzeitzuverlässigkeit bzw. die Mean Time Between Failures (MTBF) eines...
Portfolio (17)
DE-82299 Türkenfeld
... internen Pull-Up Widerstand 10 kOhm bis +5 V Option 1: Eingang 2 ersetzt mit SCL Signal Steuerausgang MOSFET auf GND geschaltet, 0,3 R, max. 32 V, max. 1 A Option 1: Ausgang 2 ersetzt mit SDA Signal Sonstiges Schnittstelle RS232 / RS485: 19200 Bd, 8D, 1S, N Optokoppler isoliert Temperaturbereich Anwendung: 10 °C - 30 °C (bei freiem Luftzug) Lagerung: 5 °C - 50 °C Abmessungen 105 mm x 126 mm x 45 mm (3HE, 9TE) Gewicht 350 g Garantie 12 Monate...
Portfolio (258)
DE-24558 Henstedt-Ulzburg
...“ der elektrischen Ladung, man spricht auch von elektrostatischer Polarisierung, ist erst mit einer Elektret Folie möglich geworden. Diese ist auf der Metallplatte dauerhaft aufgebracht. Dadurch wird die Membran ausreichend vorgespannt, so dass nur noch eine geringe Spannung von etwa 1.5V nötig ist, um ein Potentialgefälle zu erzeugen und um den FET Feldeffekttransistor mit Spannung zu versorgen...
Portfolio (12)
DE-52072 Aachen
...In Testlaboren müssen parallel zu Messungen oftmals die Testanlage, das Testobjekt oder beides in einer bestimmten zeitlichen Abfolge angesteuert werden. Diese anspruchsvolle Aufgabe übernimmt nun der SATURN Sequencer von AMOtronics. Diese programmierbare digitale Steuereinheit ermöglicht es, Schalter, Leistungsschütze, Relais, IGBTs, MOSFETs usw. hochpräzise mit einer Schrittweite von 10ns anzusteuern - wahlweise über elektrische oder optische Ausgänge.
Portfolio (2)
DE-84085 Langquaid
...Kompakte Empfangseinheit mit 8-30 V Gleichstromversorgung und personalisierbarer Verkabelung M12-Rundsteckverbinder oder 10-poliger Stecker in verkleinerter Version oder Kabelverschraubung. Verfügt über maximal 12 Analog- und 64 Digitalausgänge (verfügbar über CANopen Schnittstelle), 2 STOPP-Ausgänge, 2 UMFS-Ausgänge, 4 Ausgänge mit programmierbaren MOSFET und 2 CAN-Ausgänge. Der doppelte CAN...
Portfolio (10)
DE-70437 Stuttgart
...Die Funktion des Tasters beruht auf dem physikalischen Prinzip des Piezoeffektes. Durch eine äußere Krafteinwirkung (Kraftzu oder - abnahme) erzeugt das Piezoelement einen Spannungsimpuls, der genutzt wird, einen elektronischen Schalter (Mos-Fet) anzusteuern. Es gibt folgende Schaltfunktionen: • Taster - Der Ausgang schließt oder öffnet bei jeder Betätigung für ca. 120 ms • Impulsverlängerung - Der Ausgang schließt, solange der Taster betätigt wird, bis 6s • Kippschalter - Der Ausgang ändert den Zustand bei jeder Betätigung ...
Portfolio (6)
...Funktionelle Redundanz zielt darauf ab, sicherheitstechnische Systeme mehrfach parallel auszulegen, damit - beim Ausfall einer Komponente - die anderen den ungestörten Dienst gewährleisten. Deshalb werden redundante Stromversorgungen durch Dioden oder p-Kanal-Power-MOSFETs voneinander im Ausgang entkoppelt. Alle QUEL-Einzelspannungsgeräte sind für den redundanten Betrieb einsetzbar. Je nach...
Portfolio (7)
...-Quelle mit geringem Klirrfaktor Ionenstrahl-Ablenkung Ansteuern von Elektronenröhren Technische Daten der Leistungsverstärker von Krohn-Hite Rauscharme Vorverstärker Die selektiven Vorverstärker ermöglichen eine hohe Eingangsverstärkung bis 1 Megahertz basierend auf einem rauscharmen FET-Instrumentenverstärker. Jedes Modell bietet vorwählbare Verstärker-Settings für Bandbreiten von 100 Hz bis...
Portfolio (10)
...Somit entstehen keine weiteren Kosten für teure Zusätze. Die Maschine benötigt sehr wenig Platz. Besonderheiten / Eigenschaften - leistungsstarker Generator mit modernster MOS-FET Technik - programmierbare Bohrtiefe, autom. Verschleißkompensation - große und gut lesbare Anzeige der X, Y - stabile, massive Konstruktion, stark verrippter Gusskörper - geschliffene und geschabte Führungen in...
Portfolio (7)